沸腾文学

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第三十九章 走马观花（第1页）

犹如刘姥姥进了大观园，周建国撒开脚步在会场之内奔走，简直是越看越开心。

八零一一厂现用的1厘米规格晶体管，在展会上已经有厂家将其规格做到了0.6厘米，而且性能完全保持一致。

这意味着什么？

表示周建国的中等规模集成电路设计方案难度降低了三分之一，只要对厂里生产线进行小规模升级就能理论上实现生产的可能。

如此惊喜，让他不由在脑海中回荡起上午才记在笔记本中的一个定理：摩尔定律。

“晶体管和电阻器的数量每年会翻番，原因是工程师可以不断缩小晶体管的体积。这就意味着，半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去。”

青蛙不爬到井口，是永远不会知道天的广阔，周建国觉得自己这只蛙能借着东风跳了出来，真是太幸运了。

按照摩尔定律的指示，每24—36个月半导体产业就会升级一次，那么过几年就算是大规模集成电路的话，八零一一厂也有可能染指做出来。

想到这里，周建国不由心情澎湃，自家厂比不过像永川24所这样的国字头综合集成电路研究所，但自己跟自己比有大进步也是可喜可贺的事情。

说曹操曹操到。

心里想着永川24所，眼前就到了对方所在摊位，密密麻麻围了一大圈人，都等着排队近距离欣赏那块足以载入中国半导体历史的第一枚大型集成电路——120位moS移位寄存器。

组委会特意在其摊位前拉起了红线让人排队参观，毕竟对方可是全会场炙手可热的大明星。

周建国当然毫不犹豫站到了60多个人后面，只求能一览大型集成电路的风采。

120位moS移位寄存器放在一个小型玻璃柜之内，可以一下子允许4人靠近参观，为保证其他人能一饱眼福，主办方特意限制每次3分钟欣赏时间。

趁此机会，周建国在排队间歇，观看一旁的永川24所介绍。

文字是用粉笔在小黑板上书写，看得出来是临时设立，估计是太多人询问相同的问题，永川24所就直接用文字来简要回答。

目光所及之处，永川24所的真容呈现在大家面前。

光清华、北大毕业生人数就占了26名，后面还跟着一大串交大、复旦、南开的名校生，看着永川24所人才结构组成，周建国是自愧不如。

清华和北大，是所有中国学生顶礼膜拜的最高学府，当年他也想试着冲击一把，但心有余而力不足，最终还是学校平时最厉害的尖子生考了进去。

因此，对于这两所名校出来的毕业生，周建国当然知晓对方的厉害之处。而且在他心中，反而也升起这样的念头，就是半导体行业能吸引到中国最厉害的毕业生，说明这个行业有前途。而自己也能沾沾光，工作说出去也不丢人。

从事半导体工作越久，周建国越觉得天赋的重要，这个行业汇聚了太多高精尖理论，需要最聪明的人才方能有所建树。

其他行业是3个臭皮匠顶个诸葛亮，而在半导体领域，则变成1个诸葛亮赛过99个臭皮匠，甚至说是千人敌都不足为过。

“同志，你们所研发的大规模集成电路技术，能不能转让供我们厂负责生产？我们当前就生产8位的移位寄存器，若是能得到你们支援的话，产品足足可以上一大台阶。”

一位身穿深蓝色中山装的中年男子向永川24所的现场负责人发问。

“说实话，我们也想将自己的技术迅速铺开，供你们大规模使用。但我们所只负责科研，技术转让和生产安排的事情真的不归我们管，得由上级主管部门统一安排。

而且120位moS移位寄存器好像听说已经确定了生产厂家，但具体情况我真不大清楚。”

询问技术转让的请求已经发生多次，永川24所的负责人对此也无能为力。

像120位moS移位寄存器这样最新的保密级技术，属于绝对的香饽饽，哪一家工厂生产是需要由四机部里部级领导点头才能决定。

不出意外的话，应该在四机部重点建设的5家半导体生产工厂之中选择，像八零一一厂以及刚才发问之人所在的工厂是没有资格入选。

这在一定程度上，也反映出当前中国的科研成果和工厂市场之间存在鸿沟，没能打通架起桥梁联系起来，直接将最新成果转化。

“不过同志你请放心，依照我们国家过去惯例，用不了几年时间这项成果还是会无偿向同行分享。”

这位负责人说得没有错，在计划经济统管一切情况下，国家力量划拨资源是无偿没有条件，因为所有的东西都属国家所有。待有关部门觉得时机成熟了，自然会将技术在国内共享。

就像当年首都电子厂从苏联的156项目之中获得了半导体技术，然后国家一声令下之后，他们就将得来的技术无偿共享分给其他城市的工厂和科研所使用，包教包会将技术最大化扩散出去。

至于知识产权，或者有偿转让，这些都是没有的事！

终于轮到周建国可以近距离参观120位moS移位寄存器的样品，跟他想象之中相比，成品的面积小得多，只有四根手指宽。

该款集成电路使用了最新的pmoS技术，即场效应管制造。在一块硅晶体衬底上，用光刻、扩散、离子注入等工艺制作成p沟道型场效应管电路。

晶体管现在分为两大类，一类是双极型晶体管，就是八零一一厂现在使用的元器件。第二类就是科技最新突破的产品，即场效应管，它跟前者最大的不同就是更合适在硅片上应用光刻技术制成。

从此款移位寄存器的设计示意图来看，制作场效应管犹如在硅片这张底板之上刻画了诸多纵横交错的线条，栅极长度控制在10-12微米大小，明显属于更先进的技术成果。

难怪自己之前刻舟求剑思考了，一直用八零一一厂现有的晶体管来猜测，结果人家早就进步，采纳了最新科技成果来创造。

可惜没有照相机，不然周建国真想来一张照片，将其保存下来带回去作为研发参照物。

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